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负载开关电路,MOSFET负载开关,电路原理图-KIA MOS管
如图所示，负载接在电源与漏极之间。在其栅极上加一个逻辑高电平，则N-MOSFET导通，负载得电；在其栅极加一个逻辑低电平，则N-MOSFET关断，负载失电。www.kiaic.com/article/detail/5632.html 2025-04-24
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自激电路原理,MOS管自激电路图详解-KIA MOS管
当开关S1闭合时，继电器的线圈通电，电源+V经过电感L1，向N1 N2（变压器）的中抽头进行供电，此外，电流还会C1和R2（电阻）流向N3、N4的中抽头。www.kiaic.com/article/detail/5631.html 2025-04-24
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负载开关mos开关,40v130a场效应管,KNB2904A参数-KIA MOS管
KNB2904A场效应管参数性能优越，具有优异的RDSON和栅极电荷；漏源击穿电压40V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 2.5mΩ（典型值）@VGS=10V，减小损耗、提高效率；低跨导、快速切换，高效低耗；100%雪崩测试以及改进的dv/dt能力，稳定可靠，适用于PWM应用、...www.kiaic.com/article/detail/5630.html 2025-04-23
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自激式开关电源电路,单管自激电路图分享-KIA MOS管
接通电源后，220V市电电压经VD503～VD506整流、C507滤波，在滤波电容C507两端得到近300V直流电压，通过开关变压器T511的3-7绕组加到开关管VT513的集电极。www.kiaic.com/article/detail/5629.html 2025-04-23
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三级放大器,三级放大电路原理图-KIA MOS管
通过级联多个放大器，每个放大器的增益都比前一个放大器大，从而实现对输入信号的放大。每个放大器的输出信号经过滤波和校正后，再输入到下一个放大器进行放大。最后，经过输出级的放大，信号达到所需的输出幅度。www.kiaic.com/article/detail/5628.html 2025-04-23
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MOS管,场效应管是什么控制型器件？-KIA MOS管
场效应管是一种电压控制型器件，通过栅源电压（VGS）来控制漏极电流（ID），具有高输入阻抗、低输出阻抗、快速开关速度和大电压/电流能力等特点。www.kiaic.com/article/detail/5521.html 2025-04-22
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mos管三个引脚gsd,mos管gsd区分-KIA MOS管
许多MOS管在管壳表面上有标记或标识，标明了各个电极的名称；在电路图中，MOS管的电极通常会用特定的符号表示，G极通常用一个圆圈表示，S极用一个小圆圈表示，D极则用一个小圆点表示；www.kiaic.com/article/detail/5523.html 2025-04-22
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28n50mos,28a500v场效应管,TO-3P,KIA28N50HH参数-KIA MOS管
KIA28N50HH场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流28A，极低导通电阻RDS(开启) 0.16mΩ，最大限度地减少导电损耗，降低功耗、提升效率；低栅极电荷、低Crss、改进的dv/dt能力，实现快速切换；经过100%雪崩测试、符合RoHS，稳定可靠；良好的开关特性，能够承受较大...www.kiaic.com/article/detail/5525.html 2025-04-22
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2803mos管,2803场效应管,30v150a,KNY2803A参数-KIA MOS管
KNY2803A场效应管漏源电压30V，漏极电流150A，采用先进的沟槽加工技术，实现极低的导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地减少导通损耗；低栅极电荷、改进的dv/dt能力、快速切换、100%雪崩测试和改进的重复雪崩额定值，高效稳定；无铅，符合RoHS标准，环保可靠；...www.kiaic.com/article/detail/5531.html 2025-04-22
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30v150a场效应管,2803mos管,TO-220,KNP2803S参数规格书-KIA MOS管
KNP2803S场效应管漏源电压30V，漏极电流150A，采用先进的沟槽加工技术，实现极低的导通电阻RDS(开启) 2.0mΩ，最大限度地减少导通损耗；低栅极电荷、低反向传输电容、?改进的dv/dt能力、快速切换、100%雪崩测试和改进的重复雪崩额定值，高效稳定；无铅，符合R...www.kiaic.com/article/detail/5534.html 2025-04-22
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PCPD电源,3403mos管,80a30v场效应管,TO252,KND3403C-KIA MOS管
KND3403C场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流80A，极低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ，可最大限度地降低导通电阻，性能优越；具备低栅极电荷、低反向传输电容，快速切换能力和改进的dv/dt能力、100%雪崩测试，确保稳定性和可靠性，广泛应用于电动工具、BMS、PD电源、...www.kiaic.com/article/detail/5546.html 2025-04-22
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bms mos管,80a40v场效应管,KNY3404D参数规格书-KIA MOS管
bms mos管KNY3404D漏源击穿电压40V，漏极电流80A，采用先进的沟槽技术，极低导通电阻RDS(开启) 5.2mΩ，最大限度地减少导电损耗，提升效率；具有开关速度快，内阻低，耐冲击特性好的特点；?低栅极电荷、低反向传输电容、改进的dv/dt能力、100%雪崩测试，稳定可...www.kiaic.com/article/detail/5549.html 2025-04-22
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供电mos管,50n06,50a60v,KIA50N06BP场效应管-KIA MOS管
电机控制器mos管KNG3404D漏源击穿电压60V，漏极电流50A，低导通电阻RDS(开启) 10.5mΩ，最大限度地减少导电损耗，降低功耗、提升效率；低电流以减少导电损耗、高雪崩电流，高效稳定；无铅和绿色设备，环保可靠；广泛应用于UPS、电源管理、电池管理系统等；封装...www.kiaic.com/article/detail/5561.html 2025-04-22
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电源切换,2908mos管,130a80v场效应管,KNH2908D参数-KIA MOS管
KNH2908D场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 4.8mΩ，最大限度地减少导电损耗；低电流以减少导电损耗、高雪崩电流，性能优越，高效稳定；无铅和绿色设备，环保可靠；广泛应用于电源切换应用程序、硬交换和高频电路、不间断电源等；...www.kiaic.com/article/detail/5564.html 2025-04-22